Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-GE3

Stato parte :

Active

Tipo FET :

2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

18 mOhm @ 8.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id :

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

1200pF @ 10V

Potenza - Max :

3.1W

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-SO