Diodes Incorporated DMHC3025LSD-13

Stato parte :

Active

Tipo FET :

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

6A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

25 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

11.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

590pF @ 15V

Potenza - Max :

1.5W

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-SO