Nexperia USA Inc. PMGD280UN,115

Stato parte :

Active

Tipo FET :

2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

870mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

340 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id :

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

0.89nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

45pF @ 20V

Potenza - Max :

400mW

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore :

6-TSSOP