Vishay Siliconix SI1024X-T1-GE3

Stato parte :

Active

Tipo FET :

2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

485mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

700 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id :

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

0.75nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

-

Potenza - Max :

250mW

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore :

SC-89-6