Toshiba Semiconductor and Storage TPW1R005PL,L1Q

Stato parte :

Active

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

300A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

4.5V, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

122nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

9600pF @ 22.5V

Vgs (massimo) :

±20V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

960mW (Ta), 170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

-

temperatura di esercizio :

175°C

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-DSOP Advance

Pacchetto / caso :

8-PowerWDFN