Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL(TE85L,F

Stato parte :

Active

Transistor Type :

2 NPN (Dual) Common Emitter

Corrente - Collector (Ic) (Max) :

100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

120V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Limite del collettore (max) :

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

200 @ 2mA, 6V

Potenza - Max :

300mW

Frequenza - Transizione :

100MHz

temperatura di esercizio :

150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore :

SMV