Rohm Semiconductor SH8K32TB1

Stato parte :

Not For New Designs

Tipo FET :

2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

65 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

10nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

500pF @ 10V

Potenza - Max :

2W

temperatura di esercizio :

150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-SOP (5.0x6.0)