Renesas Electronics America RJK60S7DPP-E0#T2

Stato parte :

Obsolete

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

39nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

2300pF @ 25V

Vgs (massimo) :

+30V, -20V

Caratteristica FET :

Super Junction

Dissipazione di potenza (max) :

34.7W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

125 mOhm @ 15A, 10V

temperatura di esercizio :

150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore :

TO-220FP

Pacchetto / caso :

TO-220-3 Full Pack