Fairchild/ON Semiconductor FDBL86366_F085

Stato parte :

Active

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

220A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

112nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

6320pF @ 40V

Vgs (massimo) :

±20V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

300W (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

3 mOhm @ 80A, 10V

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-PSOF

Pacchetto / caso :

8-PowerSFN