Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8TA

Stato parte :

Active

Tipo FET :

2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET :

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) :

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

50 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

20.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

1063pF @ 30V

Potenza - Max :

1.8W

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-SOP