Texas Instruments CSD17501Q5A

Stato parte :

Active

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

4.5V, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

2630pF @ 15V

Vgs (massimo) :

±20V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

3.2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

2.9 mOhm @ 25A, 10V

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-VSON (5x6)

Pacchetto / caso :

8-PowerTDFN