Rohm Semiconductor EMB3T2R

Stato parte :

Active

Transistor Type :

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collector (Ic) (Max) :

100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

50V

Resistore - Base (R1) (Ohm) :

4.7k

Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) :

-

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

300mV @ 2.5mA, 5mA

Corrente - Limite del collettore (max) :

-

Frequenza - Transizione :

250MHz

Potenza - Max :

150mW

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore :

EMT6