ON Semiconductor BC849BLT1G

Stato parte :

Active

Transistor Type :

NPN

Corrente - Collector (Ic) (Max) :

100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

30V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Limite del collettore (max) :

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max :

300mW

Frequenza - Transizione :

100MHz

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto / caso :

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore :

SOT-23-3 (TO-236)