Microsemi Corporation APTGT35A120T1G

Stato parte :

Active

Tipo IGBT :

Trench Field Stop

Configurazione :

Half Bridge

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :

1200V

Corrente - Collector (Ic) (Max) :

55A

Potenza - Max :

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :

2.1V @ 15V, 35A

Corrente - Limite del collettore (max) :

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce :

2.5nF @ 25V

Ingresso :

Standard

Termistore NTC :

Yes

temperatura di esercizio :

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Chassis Mount

Pacchetto / caso :

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore :

SP1