Fairchild/ON Semiconductor FDP7N60NZ

Stato parte :

Active

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

6.5A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

17nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

730pF @ 25V

Vgs (massimo) :

±30V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

147W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

1.25 Ohm @ 3.25A, 10V

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore :

TO-220-3

Pacchetto / caso :

TO-220-3