Fairchild/ON Semiconductor FDMS2672

Stato parte :

Active

Tipo FET :

N-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

3.7A (Ta), 20A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

6V, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id :

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

42nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

2315pF @ 100V

Vgs (massimo) :

±20V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

2.5W (Ta), 78W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

77 mOhm @ 3.7A, 10V

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore :

Power56

Pacchetto / caso :

8-PowerWDFN