Fairchild/ON Semiconductor FDMC612PZ

Stato parte :

Active

Tipo FET :

P-Channel

Tecnologia :

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :

14A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :

2.5V, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id :

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

74nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :

7995pF @ 10V

Vgs (massimo) :

±12V

Caratteristica FET :

-

Dissipazione di potenza (max) :

2.3W (Ta), 26W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

8.4 mOhm @ 14A, 4.5V

temperatura di esercizio :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio :

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore :

8-MLP (3.3x3.3)

Pacchetto / caso :

8-PowerWDFN